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光刻掩膜版線寬對光刻光強的影響
【2021-09-30】

  光刻工藝其實就是一系列圖形轉(zhuǎn)移的過程,類似于照片印刷。首先,通過特定方式將版圖轉(zhuǎn)移到掩膜版表面。光刻過程中,光線透過掩膜版在硅片表面的光刻膠中形成掩膜圖形空間像,光刻膠感光后,經(jīng)過定影顯影的步驟后將掩膜圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上,而后經(jīng)過若干步驟再將掩膜圖形從光刻膠表面轉(zhuǎn)移到硅片表面,最終實現(xiàn)版圖圖形向硅片表面的轉(zhuǎn)移,然而,由于作業(yè)物理系統(tǒng)和實際環(huán)境的各種限制,這種圖形轉(zhuǎn)移過程不可能會是完全精確的,通常存在各種畸變。光刻過程中增加激光線寬使空間成像質(zhì)量變差,較大的線寬也導(dǎo)致了曝光寬容度的損失。


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