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光刻掩膜版的原理，簡單來說，就是利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)以及物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，從而形成圖形；它的原理類似于照相機成相。

半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展到今天，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級，并且從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、激光、微離子束、X射線等新技術(shù)；使用的波長從4000埃擴展至0.1埃數(shù)量級的范圍。光刻掩膜版的技術(shù)已經(jīng)成為了一種精密的微細加工技術(shù)。